Авторизация
Забыли пароль? Введите ваш е-мейл адрес. Вы получите письмо на почту со ссылкой для восстановления пароля.
После регистрации вы сможете задавать вопросы и писать свои ответы, получая за это бонусы. Все остальные функции на сайте доступны без регистрации.
Вы должны войти или зарегистрироваться, чтобы добавить ответ и получить бонусы.
Полевой транзистор (FET) работает на основе управления электрическим полем в полупроводниковом материале. Он состоит из трех основных слоев: источника, стока и затвора.
Когда на затвор подается напряжение, создается электрическое поле в канале между источником и стоком. Это поле контролирует поток электронов или дырок (зависит от типа FET) в канале, что позволяет управлять током, проходящим через транзистор.
В полевом транзисторе с типом N-канала (N-channel FET) электроны перемещаются из источника в сток через канал, который образуется при подаче напряжения на затвор. Приложение положительного напряжения на затвор создает электрическое поле, отталкивающее электроны от поверхности канала, что уменьшает его проводимость и ограничивает ток.
В полевом транзисторе с типом P-канала (P-channel FET) дырки перемещаются из источника в сток через канал. Приложение отрицательного напряжения на затвор создает электрическое поле, притягивающее дырки к поверхности канала, что уменьшает его проводимость и ограничивает ток.
Таким образом, полевой транзистор позволяет управлять током, проходящим через него, путем изменения напряжения на затворе. Это делает его полезным для усиления сигналов, коммутации и других приложений в электронике.